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    低位错锗单晶

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    低位错的锗单晶因其晶格完整的特性,主要用于Ⅲ -V族电池的衬底材料,并最终广泛应用于空间太阳能发电板。有研国晶辉采用直拉法生长的低位错锗单晶,具有大直径、零或低位错密度、高机械强度的特点。目前可提供的最大直径为4英寸。

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    www.guojing-tech.com

    有研国晶辉服务热线:

    0316-2509035

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